有没有比较好的电子元件交易网站啊？
这个就比较多了，像是爱采购、1688、IC先生网都比较大，产品种类丰富，而且支持自动配单功能，原装正品，都适合选择。需要注意的是，如果在网上采购电子元器件，以下几点务必要注意：1、注意moq和mpq的区别moq即是最小订货量，最小订货的存在是生产厂家保证成本（材料、人工等）的基础，一般标准件或定制件都有最小订货量的要求。mpq:最小包装数。以1827572-2为例，属于动态连接器dynamic1000系列，其moq是36000只，而mpq为6000只。由于标准元器件生产自动化程度较高，包装工序也采用全自动或半自动的设备完成。2、审查供货资质大型企业通常设有专门的部门对采购的元器件进行电子元器件识别与检测 ，但大多数中小企业往往不具备上述这种能力。如果能够从原厂家直接进货最好，但由于采购数量、价格、信息掌握等方面的原因，很多单位无法直接给厂家下单，而需要从各种中间商手种采购所需器件。3、确定交期及交易条件交期的要求包括买方对采购产品需要的时间，以及卖方需要多少时间来准备样品、第一批小量生产，及正常时间下单生产所需要的时间。
电子元件采购网有那几个大网站
现在电子元件采购网比较多，像是爱采购、1688、IC先生网都比较大，产品种类丰富，而且支持自动配单功能，原装正品，都适合选择。
但需要注意的是，如果在网上采购电子元器件，以下几点务必要事先了解：
1、注意moq和mpq的区别
moq即是最小订货量，最小订货的存在是生产厂家保证成本（材料、人工等）的基础，一般标准件或定制件都有最小订货量的要求。
mpq:最小包装数。以1827572-2为例，属于动态连接器dynamic1000系列，其moq是36000只，而mpq为6000只。由于标准元器件生产自动化程度较高，包装工序也采用全自动或半自动的设备完成。
2、审查供货资质
大型企业通常设有专门的部门对采购的元器件进行电子元器件识别与检测 ，但大多数中小企业往往不具备上述这种能力。如果能够从原厂家直接进货最好，但由于采购数量、价格、信息掌握等方面的原因，很多单位无法直接给厂家下单，而需要从各种中间商手种采购所需器件。
3、确定交期及交易条件
交期的要求包括买方对采购产品需要的时间，以及卖方需要多少时间来准备样品、第一批小量生产，及正常时间下单生产所需要的时间。
什么是IGBT？它的作用是什么？
IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。扩展资料；方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。导通IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流)； 一个空穴电流(双极)。关断当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。参考资料：百度百科-IGBT
IGBT到底有什么作用???
有一本书叫电力电子器件，详细讲述了电力电子开关的原理，我也学过很长时间了，随便的说一下。
他就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。
他没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。
IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。
IGBT用途
用于中高容量功率场合，如切换式电源供应器、马达控制与电磁炉。电联车或电动车辆之马达驱动器、变频冷气、变频冰箱，甚至是大瓦特输出音响放大器的音源驱动元件。IGBT特点在于可以大功率场合可以快速做切换动作，因此通常应用方面都配合脉冲宽度调变（Pulse Width Modulation,PWM）与低通滤波器（Low-pass Filters）。由于半导体元件技术的精进，半导体原料品质的提升，IGBT单价价格越来越便宜，其应用范围更贴近家用产品范围，不再只是高功率级的电力系统应用范畴。如电动车辆与混合动力车的马达驱动器便是使用IGBT元件，丰田汽车第二代混合动力车Prius II便使用50kw IGBT模组变频器控制两组交流马达/发电机 以便与直流电池组作电力能量之间的转换。扩展资料：IGBT的阻断与闩锁：当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的压降高的原因。当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管，如图1所示。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别：当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现。 只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区 。 为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施： 防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别。 降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。 此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：5。参考资料来源：百度百科-IGBT
IGBT概念股有哪些
IGBT(Insulated Gate BIPOlar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT概念主要上市公司：科达股份(600986)、钱江摩托(000913)、华微电子(600360)、中环股份(002129)、长电科技(600584)、台基股份(300046)等。
集成电路行业概念股有哪些
集成电路设计
同方国芯（002049） ：同方国芯受益于军工芯片国产化渗透率的提升和军用存储器的横向拓展。中国军工芯片市场容量60亿元，国产化率10%，未来国产替代空间巨大。同方国芯的智能卡/智能终端亦在2015年迎来高速成长，国产银行卡、健康卡芯片等有望逐步爆发。
大唐电信（600198） ：基带技术领先，汽车半导体芯片国内独家。公司旗下子公司联芯科技是国内TD-SCDMA和LTE基带/AP芯片主要设计公司之一，拥有数量众多的通讯专利，且芯片授权给小米投资的公司，未来在4G芯片领域有望有一席之地。
上海贝岭（600171） ：中国电子整合旗下集成电路资产的路径已经愈发明确，作为其旗下唯一A股上市平台，上海贝岭的资本运作值得关注。2014年，中国电子整合了旗下华大、华虹等IC设计资产成立华大半导体，产业收入规模跻身全国前三名。
集成电路制造
三安光电（600703） ：公司布局化合物半导体制造，冲击全球龙头。三安光电在国内率先进入6寸GaN领域，未来有望整合制造和设计，成为化合物半导体龙头。
士兰微（600460） ：公司是中国IDM龙头，公司主要产品包括分立器件、功率器件、LED驱动、MEMS传感器、IGBT、安防监控芯片等。公司未来按照电源和功率驱动产品线、数字音视频产品线、物联网产品线、MCU产品线、混合信号与射频产品线、分立器件产品线、LED器件产品线等七大产品线发展。
华微电子（600360） ：公司是国内主要的半导体功率器件IDM，主要产品包括MOSFET、IGBT、BJT、二极管等，可用于汽车电子设备中。
集成电路封测
华天科技（002185） ：中国营收规模第二、盈利能力最强的半导体封装测试公司，公司甘肃、西安、昆山三地布局传统封装到先进封装全线产品。今年年初，公司与华天科技签署了战略合作协议，双方将在集成电路先进制造、封测等方面展开合作，共同建设中国集成电路产业链。
通富微电（002156） ：巨头重要封测伙伴，公司国际大客户营收占比较高，海外销售占比超过70%，客户产品主要面向智能手机、汽车等高增长市场。
晶方科技（603005） ：公司是封装绝对领导者，2014年成为全球第一家12英寸WLCSP封装供应商，为OmniVison、格科微等海内外CIS巨头提供封测服务。同时，公司还是苹果Touch ID封装的主要供应商之一。公司发展的主要方向是汽车摄像头、模组封装、指纹识别和MEMS封装。
集成电路设备和材料
七星电子（002371） ：公司是A股半导体设备的龙头公司公司2014年9.62亿收入中，半导体设备达到4.64亿元，占比48.2%。七星的半导体设备主要用于集成电路、太阳能电池、TFTLCD、电力电子等行业。在集成电路设备方面，公司12英寸氧化炉，65~28nm清洗设备，45~32nm LPCVD等是看点。
兴森科技（002436） 、上海新阳（300236） ：12寸大硅片项目为中国集成电路提供最核心材料，两家公司联合新傲科技和张汝京博士成立的大硅片公司上海新升预计四季度能出12寸硅片样品，预计明年1季度实现量产，目前硅片产能大部分已经被预定。上海新升将弥补中国半导体产业最核心原料的缺失。国家大基金有意投资，且上海新升已经确定入驻临港产业园区集成电路基地，有望受益上海集成电路基金扶持。